GD100HFX170C1S

Модуль IGBT 1700В 168A Упаковка - Штучный товар Вес - 150 Описание - GD100HFX170C1S.pdf Конфигурация IGBT - Полумост Постоянный ток коллектора - 168A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено) - 1,85 В Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 1,85 В Рассеиваемая мощность - 632 Вт Рассеиваемая мощность Pd - 632 Вт Температура соединения Tj Max - 150°C Максимальная рабочая температура - 150°C Тип корпуса транзистора - Модуль Окончание IGBT - Шпилька Максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 1,7 кВ Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo - 1,7 кВ Технология IGBT - Остановка в траншейном поле Монтаж транзистора - Панель SVHC - Рекомендуется