GD200HFX65C2S

Модуль IGBT 650В 247A Упаковка - Штучный товар Вес - 314 Описание - GD200HFY65C2S.pdf Конфигурация IGBT - Полумост Постоянный ток коллектора - 247A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено) - 1,45 В Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 1,45 В Рассеиваемая мощность - 612 Вт Рассеиваемая мощность Pd - 612 Вт Максимальная рабочая температура - 150°C Температура соединения Tj Max - 150°C Тип корпуса транзистора - Модуль Завершение IGBT - Шпилька Максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 650 В Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo - 650 В Технология IGBT - Траншея Монтаж транзисторов - Панель SVHC - Рекомендуется