GD300HFY120C2S

Модуль IGBT 1200В 600A, 150°C 2.941кВт Упаковка - Штучный товар Вес - 330 Описание - GD300HFY120C2S_.pdf Конфигурация IGBT - Полумост Постоянный ток коллектора - 600A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено) - 2 В Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 2 В Рассеиваемая мощность Pd - 2,941 кВт Рассеиваемая мощность - 2,941 кВт Максимальная рабочая температура - 150°C Температура соединения Tj Max - 150°C Тип корпуса транзистора - Модуль Завершение IGBT - Шпилька Максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 1,2 кВ Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo - 1,2 кВ Технология IGBT - Остановка в траншейном поле Монтаж транзистора - Панель SVHC - Рекомендуется