GD400HFX170C2S

Модуль IGBT 1700В 648A Упаковка - Штучный товар Вес - 331 Описание - GD400HFX170C2S.pdf Конфигурация IGBT - Полумост Постоянный ток коллектора - 648A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено) - 1,85 В Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 1,85 В Рассеиваемая мощность Pd - 2,38 кВт Рассеиваемая мощность - 2,38 кВт Максимальная рабочая температура - 150°C Температура перехода Tj Max - 150°C Тип корпуса транзистора - Модуль Окончание IGBT - Шпилька Максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 1,7 кВ Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo - 1,7 кВ Технология IGBT - Остановка в траншейном поле Монтаж транзистора - Панель SVHC - Рекомендуется