GD400HFU120C2S

Модуль IGBT 1200В 400A Упаковка - Штучный товар Вес - 313 Описание - GD400HFU120C2S.pdf Конфигурация IGBT - Полумост Ток коллектора постоянного тока - 660A Постоянный ток коллектора - 660A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 3,1 В Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено) - 3,1 В Рассеиваемая мощность Pd - 2,66 кВт Рассеиваемая мощность - 2,66 кВт Максимальная рабочая температура - 125 °C Температура перехода Tj Max - 125 °C Стиль корпуса транзистора - Модуль Завершение IGBT - Шпилька Максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 1,2 кВ Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo - 1,2 кВ Технология IGBT - NPT Ultra Fast IGBT Монтаж транзисторов - Панель SVHC - Нет SVHC (25 июня 2020 г.)