GD150HFX65C1S

Модуль транзисторный IGBT 650В 180А Упаковка - Paper Box Вес - 163 Описание - 3123020.pdf Конфигурация IGBT - Полумост Постоянный ток коллектора - 180A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено) - 1,45 В Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 1,45 В Рассеиваемая мощность - 437 Вт Рассеиваемая мощность Pd - 437 Вт Температура соединения Tj Max - 150°C Максимальная рабочая температура - 150°C Тип корпуса транзистора - Модуль Завершение IGBT - Шпилька Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo - 650 В Максимальное напряжение коллектора-эмиттера - 650 В Технология IGBT - Остановка в траншейном поле Монтаж транзистора - Панель SVHC - Рекомендуется