GD200HFU120C2S

Модуль IGBT 1200В 262А Упаковка - Штучный товар Вес - 340 Описание - GD200HFU120C2S.pdf Конфигурация IGBT - Полумост Ток коллектора постоянного тока - 262A Постоянный ток коллектора - 262A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 3V Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (вкл.) - 3V Рассеиваемая мощность Pd - 1,315 кВт Рассеиваемая мощность - 1,315 кВт Температура соединения Tj Max - 125 u00b0C Максимальная рабочая температура - 125 u00b0C Тип корпуса транзистора - Модуль Завершение IGBT - Шпилька Максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 1,2 кВ Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo - 1,2 кВ Технология IGBT - Сверхбыстрое IGBT NPT Монтаж транзисторов - Панель SVHC - Нет SVHC (25 июня 2020 г.)