GD150HFU120C2S

Модуль IGBT 1200В 150А Упаковка - Штучный товар Вес - 335 Описание - GD150HFU120C2S.pdf Конфигурация IGBT - Полумост Постоянный ток коллектора - 280A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 3,1 В Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено) - 3,1 В Рассеиваемая мощность Pd - 1,147 кВт Рассеиваемая мощность - 1,147 кВт Температура соединения Tj Max - 125 °C Максимальная рабочая температура - 125 °C Тип корпуса транзистора - Модуль Завершение IGBT - Шпилька Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo - 1,2 кВ Максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 1,2 кВ Технология IGBT - Сверхбыстрое IGBT NPT Монтаж транзисторов - Панель SVHC - Нет SVHC (25 июня 2020 г.)