GD150HFX170C2S

Транзистор IGBT GD150HFX170C2S представляет собой полумостовой модуль с постоянным током коллектора 280 А и максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1,7 кВ. Напряжение насыщения коллектора-эмиттера составляет 1,85 В, а рассеиваемая мощность достигает 1,127 кВт. Максимальная рабочая температура соединения составляет 150°C. Технология IGBT основана на остановке в траншейном поле, монтаж осуществляется на панель.