GD200HFX170C2S

Модуль IGBT GD200HFX170C2S предназначен для использования в полумостовых конфигурациях. Он поддерживает постоянный ток коллектора до 337 А и максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ. Напряжение насыщения коллектора-эмиттера составляет 1,85 В, а рассеиваемая мощность достигает 1,271 кВт. Максимальная рабочая температура составляет 150 °C. Модуль имеет шпильковое завершение и предназначен для панельного монтажа, что обеспечивает удобство установки в промышленных системах.