GD225HFX170C6S

IGBT полумост GD225HFX170C6S предназначен для применения в силовой электронике. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 1,7 кВ, а постоянный ток коллектора достигает 396 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,53 кВт, с температурой соединения до 150°C. Технология IGBT основана на ограничителе поля траншеи, монтаж осуществляется на панели. Тип корпуса - модуль, завершение - запрессовка.