GD100HFU120C8S

IGBT полумост GD100HFU120C8S предназначен для применения в силовых преобразователях. Он имеет постоянный ток коллектора 154 А и максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1,2 кВ. Напряжение насыщения коллектора-эмиттера составляет 2,9 В, а рассеиваемая мощность достигает 791 Вт. Рабочая температура не должна превышать 125 °C. Корпус транзистора выполнен в стиле модуля с монтажом на панель. Технология - NPT IGBT (стандарт).