FS50R12KE3BPSA1

Конфигурация IGBT - Шесть блоков Постоянный ток коллектора - 75A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено) - 1,7 В Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 1,7 В Рассеиваемая мощность - 270 Вт Рассеиваемая мощность Pd - 270 Вт Температура соединения Tj Max - 150 °C Максимальная рабочая температура - 150 °C Корпус транзистора Стиль - Модуль Максимальное напряжение коллектор-эмиттер - 1,2 кВ Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo - 1,2 кВ Технология IGBT - IGBT 3 Монтаж транзисторов - Панель Ассортимент продукции - EnoPACK 2 SVHC - Нет SVHC (27 июня 2018 г.)