FP25R12W2T4

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт Корпус - EasyPIM™ 2B Упаковка - Штучный товар Вес - 10 Описание - FP25R12W2T4.pdf Полярность транзистора - N канал Конфигурация IGBT - PIM Постоянный ток коллектора - 25A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 1,85 В Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (вкл.) - 1,85 В Рассеиваемая мощность Pd - 175 Вт Рассеиваемая мощность - 175 Вт Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo - 1,2 кВ Температура перехода Tj Max - 150 °C Максимальная рабочая температура - 150 °C Тип корпуса транзистора - Модуль Количество контактов - 23 контакта Завершение IGBT - Запрессовка Максимальное напряжение коллектора-эмиттера - 1,2 кВ Технология IGBT - IGBT 4 Монтаж транзистора - Панель SVHC - Нет SVHC (23 января 2024 г.)