SKM100GB125DN

Транзистор SKM100GB125DN представляет собой IGBT полумостовой конфигурации с двойным N-каналом. Он способен выдерживать постоянный ток коллектора до 100 А и максимальное напряжение коллектора-эмиттера 1,2 кВ. Напряжение насыщения коллектора-эмиттера составляет 3,3 В, а максимальная рабочая температура достигает 150°C. Транзистор выполнен в модульном корпусе с 7 контактами и монтируется на панель. Технология IGBT - NPT IGBT с сверхбыстрым переключением.