IKA10N60TXKSA1

Транзистор биполярный IGBT, 600В, 11.7А Тип - IGBT Мощность - рассеиваемая (Pd) - 30 Вт Тип упаковки - Tube (туба) Напряжение - насыщения коллектор-эмиттер - 1.5 V Корпус - TO-220F Диапазон рабочих температур - -40…+175 °С Способ монтажа - Through Hole Максимальный ток - коллектора (Iк max) - 11,7 А Ток утечки - затвор-эмиттер - 100 nA Упаковка - TUBE, 50 шт. Вес - 3,04 Время - задержки включения/ выключения - 12/ 215 нс Описание - 600V, 11.7A, 30W IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) Максимально допустимое напряжение - коллектор-эмиттер (VCEO) - 600 V; напряжение затвор-эмиттер - 20 V НУЛЛ 0 - Through Hole MSL(Уровень чувствительности к влажности) - 1.0 Вес брутто - 2.16 Транспортная упаковка: размер/кол-во - 64*39*36/2000 Нормоупаковка - 50 шт Описание Eng - IGBT, 600V, 11.7A, TO-220FP-3