GT50J325

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Remmended replacement: GT30J341) Корпус - TOSHIBA 2-21F2C (TO-3P(L)) Упаковка - Palette (палетта) Вес - 9,4 Описание - GT50J325_datasheet_en_20061101.pdf Постоянный ток коллектора - 50A Напряжение насыщения коллектора-эмиттера - 2,45 В Рассеиваемая мощность - 240 Вт Максимальное напряжение коллектора-эмиттера - 600 В Тип корпуса транзистора - TO-3P Количество контактов - 3 контакта Максимальная рабочая температура - 150 °C Монтаж транзистора - Сквозное отверстие SVHC - Нет SVHC (25 июня 2020 г.)