GD600HFX65C6S

IGBT полумост GD600HFX65C6S предназначен для применения в силовой электронике. Он поддерживает постоянный ток коллектора до 700 А и максимальное напряжение коллектора-эмиттера 650 В. Напряжение насыщения Vce составляет 1,45 В, а рассеиваемая мощность достигает 1,648 кВт. Максимальная рабочая температура составляет 150 °C. Транзистор выполнен в модульном корпусе с панельным монтажом и использует траншеевую технологию.