FF100R12RT4HOSA1

Модуль Trans IGBT N-CH 1200 В 100 А 555000 мВт 7-к предназначен для использования в высоковольтных приложениях. Он имеет постоянный ток коллектора 100 А и максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1,2 кВ. Напряжение насыщения коллектора-эмиттера составляет 1,75 В, а рассеиваемая мощность достигает 555 Вт. Максимальная рабочая температура составляет 150 °C. Модуль имеет шпильковое соединение и предназначен для панельного монтажа.