LQG15HN2N0S02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная LQG15HN2N0S02D предназначена для высокочастотных приложений. Номинальная индуктивность составляет 2 нГн с допуском ±0.3 нГн. Максимальный постоянный ток – 900 мА, активное сопротивление – 120 мОм. Рабочий диапазон температур от -55°C до 125°C. Корпус имеет размеры 0402 (1 мм x 0.5 мм x 0.55 мм) и тип монтажа SMD. Упаковка – лента в катушке, количество в упаковке – 10,000 шт.