CSWA2-63DR+

Динамическое ОЗУ 256Мб 4Mx16x4 банка 167МГц 3,3В Тип - DRAM Тип упаковки - Tape and Reel (лента в катушке) Рабочая температура - 0…+85 °С Тип корпуса - SO8-150 Напряжение - питания 10...20В Защита - от электростатических разрядов (ESD - до ±15 кВ) Корпус - VFBGA-90 Интерфейс - IC Напряжение питания - 1,7…1,9 В Частота - тактовая (max) - 400 МГц Диапазон рабочих температур - 0…+85 °С Способ монтажа - поверхностный (SMT) Размер - памяти: 2 Gbit Тип монтажа - поверхностный (SMT) Тип входа - Non-Inverting Упаковка - Tape and Reel (лента в катушке) Скорость передачи данных - 480 Мбит/c Конфигурация - Half Bridge Напряжение питания, В - 2,6…3,6 (max) Ядро - RISK ARM® rtex®-M3 Частота, МГц - 108 Напряжение высоковольтной части - 600 Категория - DRAM Ширина - шины данных: 16 bit Вес - 0,84 Пиковый ток - 210mA Потребляемый ток - 70 мА Количество - каналов - 2 Память - DRAM DDR2 2 Гбит (128 Мбит х 16) Характеристика - доступа - 400 ps Описание - 256mb_ait_aat_sdr_esg.pdf Диапазон рабочих температур, °C - -40…+85 MSL(Уровень чувствительности к влажности) - 3 Количество портов - 37 Вес брутто - 0.37 Транспортная упаковка: размер/кол-во - 40*40*40/300 Data de - 3 Нормоупаковка - 2000 шт Описание Eng - 256Mb SDRAM 4Mx16x4banks 167MHz 3,3V Время задержки - 680ns Число выходов - 2 Частота процессора - 108МГц Объем Флэш-памяти - 64КБ Объем статического ОЗУ - 20КБ Год производства - 2022+ Тип DRAM - DDR2 Плотность памяти - 2 Гбит Конфигурация памяти - 128 М x 16 бит Максимальная тактовая частота - 400 МГц Корпус микросхемы - FBGA Количество контактов - 84 контакта Номинальное напряжение питания - 1,8 В Монтаж микросхемы - Поверхностное крепление Минимальная рабочая температура - 0 °C Максимальная рабочая температура - 85 °C SVHC - Нет SVHC (17 декабря 2015 г.)