IRF820APBF Vishay

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 2.5 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 50 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7мм, Высота: 9.01мм, Размеры: 10.41 x 4.7 x 9.01мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.41мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 8,1 нс, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 16 ns, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 3 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 500 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 17 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 340 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Base Product Number: IRF820 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 2.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Other Related Documents: http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf, Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±30V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250ВµA, Automotive: No, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Configuration: Single, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Through Hole, Maximum Continuous Drain Current (A): 2.5, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 3000 10V, Maximum Drain Source Voltage (V): 500, Maximum Gate Source Voltage (V): ±30, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Maximum Power Dissipation (mW): 50000, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Mounting: Through Hole, Number of Elements per Chip: 1, Part Status: Active, PCB changed: 3, Pin Count: 3, PPAP: No, Product Category: Power MOSFET, Standard Package Name: TO-220, Supplier Package: TO-220AB, Typical Fall Time (ns): 13, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 17(Max), Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 17(Max)10V, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 340 25V, Typical Rise Time (ns): 12, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 16, Typical Turn-On Delay Time (ns): 8.1, Brand: Vishay, Конфигурация транзистора: Одинарный, Минимальное пороговое напряжение включения: 2V, Вес, г: 2, Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

IRF820APBF – артикул товара бренда Vishay с розничной ценой 165 ₽ за штуку. Купите IRF820APBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Vishay для наших постоянных клиентов.

Купить IRF820APBF Vishay в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Vishay и уточнить персональную цену на IRF820APBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.