SIHD2N80AE-GE3 Vishay

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Количество элементов на ИС: 1, Length: 6.73мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Vishay, Максимальный непрерывный ток стока: 2,9 А, Тип корпуса: DPAK (TO-252), Maximum Power Dissipation: 62,5 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Ширина: 6.22мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 4V, Минимальное пороговое напряжение включения: 2V, Height: 2.25мм, Maximum Drain Source Resistance: 2.9 ?, Maximum Drain Source Voltage: 800 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 7 нКл при 10 В, Channel Mode: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: ±30 В, Прямое напряжение диода: 1.2V, Id - непрерывный ток утечки: 2.9 A, Pd - рассеивание мощности: 62.5 W, Qg - заряд затвора: 7 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.5 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 8 ns, Время спада: 23 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: E, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 10 ns, Типичное время задержки при включении: 13 ns, Торговая марка: Vishay / Siliconix, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-252-3, Base Product Number: SIHD2 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 2.9A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 100V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: E ->, Supplier Device Package: D-PAK (TO-252), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±30V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250ВµA, Вес, г: 0.5, Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

SIHD2N80AE-GE3 – артикул товара бренда Vishay с розничной ценой 247 ₽ за штуку. Купите SIHD2N80AE-GE3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Vishay для наших постоянных клиентов.

Купить SIHD2N80AE-GE3 Vishay в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Vishay и уточнить персональную цену на SIHD2N80AE-GE3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.