SI2325DS-T1-E3 Vishay

Id - непрерывный ток утечки: 690 mA, Pd - рассеивание мощности: 1.25 W, Qg - заряд затвора: 12 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.2 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 150 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 11 ns, Время спада: 11 ns, Другие названия товара №: SI2325DS-E3, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: TrenchFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 2.2 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: SI2, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 P-Channel, Типичное время задержки выключения: 16 ns, Типичное время задержки при включении: 7 ns, Торговая марка: Vishay Semiconductors, Упаковка / блок: SOT-23-3, Вес, г: 0.05, Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

SI2325DS-T1-E3 – артикул товара бренда Vishay с розничной ценой 100 ₽ за штуку. Купите SI2325DS-T1-E3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Vishay для наших постоянных клиентов.

Купить SI2325DS-T1-E3 Vishay в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Vishay и уточнить персональную цену на SI2325DS-T1-E3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.