SI2302DDS-T1-GE3 Vishay

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Длина: 3.04мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: Vishay, Максимальный непрерывный ток стока: 2.6 A, Package Type: SOT-363, Maximum Power Dissipation: 0.71 W, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Width: 1.4мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 0.85V, Minimum Gate Threshold Voltage: 0.4V, Высота: 1.02мм, Maximum Drain Source Resistance: 75 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 20 В, Число контактов: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 3.5 nC, Номер канала: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: ±8 V, Forward Diode Voltage: 1.2V, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Количество элементов на ИС: 1, Length: 3.04мм, Максимальное рассеяние мощности: 0,71 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 1.4мм, Максимальное пороговое напряжение включения: 0.85V, Минимальное пороговое напряжение включения: 0.4V, Height: 1.02мм, Maximum Drain Source Voltage: 20 В, Pin Count: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 3,5 нКл, Channel Mode: Поднятие, Прямое напряжение диода: 1.2V, Id - непрерывный ток утечки: 2.9 A, Pd - рассеивание мощности: 860 mW, Qg - заряд затвора: 5.5 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 57 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 4.5 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 400 mV, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 7 ns, Время спада: 7 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: TrenchFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 13 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: SI2, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 30 ns, Типичное время задержки при включении: 8 ns, Торговая марка: Vishay / Siliconix, Упаковка / блок: SOT-23-3, Base Product Number: SI2302 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 2.9A (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V, HTSUS: 8541.21.0095, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: TrenchFETВ® ->, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250ВµA, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 2.9A(Tj), Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 710mW, Rds On - Drain-Source Resistance: 57mО© @ 3.6A,4.5V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20V, Vgs - Gate-Source Voltage: 850mV @ 250uA, Вес, г: 0.01, Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

SI2302DDS-T1-GE3 – артикул товара бренда Vishay с розничной ценой 54 ₽ за штуку. Купите SI2302DDS-T1-GE3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Vishay для наших постоянных клиентов.

Купить SI2302DDS-T1-GE3 Vishay в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Vishay и уточнить персональную цену на SI2302DDS-T1-GE3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.