IRFR014PBF Vishay

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 7.7 A, Тип корпуса: DPAK (TO-252), Максимальное рассеяние мощности: 2,5 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 6.22мм, Высота: 2.38мм, Размеры: 6.73 x 6.22 x 2.38мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.73мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 10 нс, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 13 ns, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 200 мОм, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 11 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 300 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, EU RoHS: Compliant with Exemption, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.10.00.80, Product Category: Power MOSFET, Configuration: Single, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Drain Source Voltage (V): 60, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Gate Threshold Voltage (V): 4, Maximum Continuous Drain Current (A): 7.7, Maximum Gate Source Leakage Current (nA): 100, Maximum IDSS (uA): 25, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 200@10V, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 11(Max)@10V, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 11(Max), Typical Gate to Drain Charge (nC): 5.8(Max), Typical Gate to Source Charge (nC): 3.1(Max), Typical Reverse Recovery Charge (nC): 200, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 300@25V, Typical Output Capacitance (pF): 160, Maximum Power Dissipation (mW): 2500, Typical Fall Time (ns): 19, Typical Rise Time (ns): 50, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 13, Typical Turn-On Delay Time (ns): 10, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Automotive: No, Pin Count: 3, Supplier Package: DPAK, Standard Package Name: TO-252, Military: No, Mounting: Surface Mount, Package Height: 2.39(Max), Package Length: 6.73(Max), Package Width: 6.22(Max), PCB changed: 2, Id - непрерывный ток утечки: 7.7 A, Pd - рассеивание мощности: 25 W, Qg - заряд затвора: 11 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 200 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: IRFR/U, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Vishay Semiconductors, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-252-3, Brand: vishay, Конфигурация транзистора: одинарный, Минимальное пороговое напряжение включения: 2v, Вес, г: 0.33, Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

IRFR014PBF – артикул товара бренда Vishay с розничной ценой 176 ₽ за штуку. Купите IRFR014PBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Vishay для наших постоянных клиентов.

Купить IRFR014PBF Vishay в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Vishay и уточнить персональную цену на IRFR014PBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.