IRFIB7N50APBF Vishay

Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60, Корпус: TO220FP-3, Крутизна характеристики S,А/В: 6.1, Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 520, Температура, С: -55…+150, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 6,6 A, Тип корпуса: TO-220FP, Максимальное рассеяние мощности: 60 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Высота: 9.8мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 14 ns, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 32 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 520 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 500 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 52 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1423 pF @ 25 V, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вид монтажа: Through Hole, Длина: 10.41 mm, Категория продукта: МОП-транзистор, Подкатегория: MOSFETs, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IRFIB, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Vishay / Siliconix, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.7 mm, Base Product Number: IRFIB7 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 6.6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-220-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±30V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250ВµA, Automotive: No, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Configuration: Single, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Through Hole, Maximum Continuous Drain Current (A): 6.6, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 520 10V, Maximum Drain Source Voltage (V): 500, Maximum Gate Source Voltage (V): ±30, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Maximum Power Dissipation (mW): 60000, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Mounting: Through Hole, Number of Elements per Chip: 1, Part Status: Active, PCB changed: 3, Pin Count: 3, PPAP: No, Product Category: Power MOSFET, Standard Package Name: TO-220, Supplier Package: TO-220FP, Typical Fall Time (ns): 28, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 52(Max), Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 52(Max)10V, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 1423 25V, Typical Rise Time (ns): 35, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 32, Typical Turn-On Delay Time (ns): 14, Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

IRFIB7N50APBF – артикул товара бренда Vishay с розничной ценой 529 ₽ за штуку. Купите IRFIB7N50APBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Vishay для наших постоянных клиентов.

Купить IRFIB7N50APBF Vishay в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Vishay и уточнить персональную цену на IRFIB7N50APBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.