IRFBE30SPBF Vishay

EU RoHS: Compliant with Exemption, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8542.39.00.01, Product Category: Power MOSFET, Configuration: Single, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Drain Source Voltage (V): 800, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Continuous Drain Current (A): 4.1, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 3000@10V, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 78(Max)@10V, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 78(Max), Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 1300@25V, Maximum Power Dissipation (mW): 125000, Typical Fall Time (ns): 30, Typical Rise Time (ns): 33, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 82, Typical Turn-On Delay Time (ns): 12, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Automotive: No, Pin Count: 3, Supplier Package: D2PAK, Standard Package Name: TO-263, Military: No, Mounting: Surface Mount, Package Height: 4.83(Max), Package Length: 10.41(Max), Package Width: 9.65(Max), PCB changed: 2, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 4.83 mm, Длина: 10.67 mm, Категория продукта: МОП-транзистор, Подкатегория: MOSFETs, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: IRFBE, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Vishay / Siliconix, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-263-3, Ширина: 9.65 mm, Вес, г: 2, Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

IRFBE30SPBF – артикул товара бренда Vishay с розничной ценой 306 ₽ за штуку. Купите IRFBE30SPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Vishay для наших постоянных клиентов.

Купить IRFBE30SPBF Vishay в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Vishay и уточнить персональную цену на IRFBE30SPBF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.