TK40E10N1,S1X(S Toshiba

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 10.16мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Toshiba, Maximum Continuous Drain Current: 90 А, Package Type: TO-220, Maximum Power Dissipation: 126 W, Серия: TK, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Width: 4.45мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 4V, Высота: 15.1мм, Maximum Drain Source Resistance: 8.2 m?, Maximum Drain Source Voltage: 100 V, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Количество элементов на ИС: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальная рабочая температура: +150 C, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Максимальное пороговое напряжение включения: 4V, Максимальное рассеяние мощности: 126 Вт, Максимальный непрерывный ток стока: 90 A, Материал транзистора: Кремний, Номер канала: Поднятие, Страна происхождения: CN, Тип канала: N, Тип корпуса: TO-220, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Типичный заряд затвора при Vgs: 49 нКл при 10 В, Число контактов: 3, Ширина: 4.45мм, Максимальное сопротивление сток-исток: 8.2 м?, Вес, г: 1.97, Бренд: Toshiba

TK40E10N1,S1X(S – артикул товара бренда Toshiba с розничной ценой 223 ₽ за штуку. Купите TK40E10N1,S1X(S по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Toshiba для наших постоянных клиентов.

Купить TK40E10N1,S1X(S Toshiba в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Toshiba и уточнить персональную цену на TK40E10N1,S1X(S вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.