TK11P65W,RQ Toshiba

Id - непрерывный ток утечки: 11.1 A, Pd - рассеивание мощности: 100 W, Qg - заряд затвора: 25 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 350 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 23 ns, Время спада: 5.5 ns, Высота: 2.3 mm, Длина: 6.5 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 2000, Серия: TK11P65W, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 85 ns, Типичное время задержки при включении: 45 ns, Торговая марка: Toshiba, Упаковка / блок: TO-252-3, Ширина: 5.5 mm, Вес, г: 0.4, Бренд: Toshiba

TK11P65W,RQ – артикул товара бренда Toshiba с розничной ценой 412 ₽ за штуку. Купите TK11P65W,RQ по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Toshiba для наших постоянных клиентов.

Купить TK11P65W,RQ Toshiba в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Toshiba и уточнить персональную цену на TK11P65W,RQ вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.