GT50JR22(S1WLD,E,S) Toshiba

Maximum Operating Temperature: +175 °C, Length: 15.5мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Toshiba, Maximum Collector Emitter Voltage: 600 V, Maximum Continuous Collector Current: 50 A, Package Type: TO-3P, Maximum Power Dissipation: 230 W, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Width: 4.5мм, Height: 20мм, Pin Count: 3, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Switching Speed: 1МГц, Maximum Gate Emitter Voltage: ±25V, Channel Type: N, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: GT50JR22, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Торговая марка: Toshiba, Бренд: Toshiba

GT50JR22(S1WLD,E,S) – артикул товара бренда Toshiba с розничной ценой 494 ₽ за штуку. Купите GT50JR22(S1WLD,E,S) по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Toshiba для наших постоянных клиентов.

Купить GT50JR22(S1WLD,E,S) Toshiba в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Toshiba и уточнить персональную цену на GT50JR22(S1WLD,E,S) вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.