CSD19505KCS Texas Instruments
Описание
Id - непрерывный ток утечки: 100 A, Pd - рассеивание мощности: 300 W, Qg - заряд затвора: 76 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.1 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 80 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.6 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 16 ns, Время спада: 6 ns, Высота: 16.51 mm, Длина: 10.67 mm, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: NexFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 262 S, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: CSD19505KCS, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Texas Instruments, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.7 mm, Вес, г: 1.98, Бренд: Texas Instruments
CSD19505KCS – артикул товара бренда Texas Instruments с розничной ценой 2 528 ₽ за штуку. Купите CSD19505KCS по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Texas Instruments для наших постоянных клиентов.
Купить CSD19505KCS Texas Instruments в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги Texas Instruments и уточнить персональную цену на CSD19505KCS вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.