CSD19501KCS Texas Instruments

Id - непрерывный ток утечки: 100 A, Pd - рассеивание мощности: 217 W, Qg - заряд затвора: 38 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 6.6 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 80 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.6 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 15 ns, Время спада: 5 ns, Высота: 16.51 mm, Длина: 10.67 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: NexFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 137 S, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: CSD19501KCS, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Texas Instruments, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.7 mm, Base Product Number: CSD19501 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 100A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 40V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 217W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V, REACH Status: REACH Affected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: NexFETв„ў ->, Supplier Device Package: TO-220-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250ВµA, Brand: Texas Instruments, Configuration: Single, Factory Pack Quantity: 50, Fall Time: 5 ns, Forward Transconductance - Min: 137 S, Id - Continuous Drain Current: 100 A, Manufacturer: Texas Instruments, Maximum Operating Temperature: +175 C, Minimum Operating Temperature: -55 C, Mounting Style: Through Hole, Number Of Channels: 1 Channel, Packaging: Tube, Pd - Power Dissipation: 217 W, Product Category: MOSFET, Product Type: MOSFET, Qg - Gate Charge: 38 nC, Rds On - Drain-Source Resistance: 6.6 mOhms, Rise Time: 15 ns, Subcategory: MOSFETs, Tradename: NexFET, Transistor Polarity: N-Channel, Transistor Type: 1 N-Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 80 V, Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V, Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.6 V, Вес, г: 2, Бренд: Texas Instruments

CSD19501KCS – артикул товара бренда Texas Instruments с розничной ценой 870 ₽ за штуку. Купите CSD19501KCS по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Texas Instruments для наших постоянных клиентов.

Купить CSD19501KCS Texas Instruments в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Texas Instruments и уточнить персональную цену на CSD19501KCS вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.