CSD17313Q2T Texas Instruments

Id - непрерывный ток утечки: 5 A, Pd - рассеивание мощности: 17 W, Qg - заряд затвора: 2.1 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 32 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 8 V, 10 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 900 mV, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 3.9 ns, Время спада: 1.3 ns, Высота: 0.75 mm, Длина: 2 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: NexFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 16 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 250, Серия: CSD17313Q2, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 4.2 ns, Типичное время задержки при включении: 2.8 ns, Торговая марка: Texas Instruments, Упаковка / блок: WSON-FET-6, Ширина: 2 mm, Base Product Number: CSD17313 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: NexFETв„ў ->, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): +10V, -8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250ВµA, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 5A, Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 2.4W, Rds On - Drain-Source Resistance: 30mО© @ 4A,8V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30V, Vgs - Gate-Source Voltage: 1.8V @ 250uA, Вес, г: 0.09, Бренд: Texas Instruments

CSD17313Q2T – артикул товара бренда Texas Instruments с розничной ценой 682 ₽ за штуку. Купите CSD17313Q2T по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Texas Instruments для наших постоянных клиентов.

Купить CSD17313Q2T Texas Instruments в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Texas Instruments и уточнить персональную цену на CSD17313Q2T вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.