RGW00TS65GC11 ROHM Semiconductor

Pd - рассеивание мощности: 254 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 96 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 96 A, Подкатегория: IGBTs, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: ROHM Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247N-3, Base Product Number: RGW00 ->, Current - Collector (Ic) (Max): 96A, Current - Collector Pulsed (Icm): 200A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 141nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: Trench Field Stop, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power - Max: 254W, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-247N, Switching Energy: 1.18mJ (on), 960ВµJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 52ns/180ns, Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V, Бренд: Rohm

RGW00TS65GC11 – артикул товара бренда ROHM Semiconductor с розничной ценой 1 541 ₽ за штуку. Купите RGW00TS65GC11 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ROHM Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить RGW00TS65GC11 ROHM Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ROHM Semiconductor и уточнить персональную цену на RGW00TS65GC11 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.