RGT50TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Описание
Pd - рассеивание мощности: 174 W, Вид монтажа: Through Hole, Диапазон рабочих температур: 40 C to + 175 C, Другие названия товара №: RGT50TS65D, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V, Непрерывный коллекторный ток: 25 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 48 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 48 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 450, Серия: RGT50TS65D, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 200 nA, Торговая марка: ROHM Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 38, Бренд: Rohm
RGT50TS65DGC11 – артикул товара бренда ROHM Semiconductor с розничной ценой 1 023 ₽ за штуку. Купите RGT50TS65DGC11 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ROHM Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить RGT50TS65DGC11 ROHM Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ROHM Semiconductor и уточнить персональную цену на RGT50TS65DGC11 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.