RGT50TM65DGC9 ROHM Semiconductor

Pd - рассеивание мощности: 133 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: RGT50TM65D, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 30 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 50, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: ROHM Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-263-3, Base Product Number: RGT50 ->, Current - Collector (Ic) (Max): 21A, Current - Collector Pulsed (Icm): 75A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 49nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: Trench Field Stop, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Power - Max: 47W, Reverse Recovery Time (trr): 58ns, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-220NFM, Td (on/off) @ 25В°C: 27ns/88ns, Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V, Бренд: Rohm

RGT50TM65DGC9 – артикул товара бренда ROHM Semiconductor с розничной ценой 917 ₽ за штуку. Купите RGT50TM65DGC9 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ROHM Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить RGT50TM65DGC9 ROHM Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ROHM Semiconductor и уточнить персональную цену на RGT50TM65DGC9 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.