RGT30NS65DGC9 ROHM Semiconductor

Pd - рассеивание мощности: 133 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: RGT30NS65D(TO-262), Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 30 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 50, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: ROHM Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-262-3, Base Product Number: RGT30 ->, Current - Collector (Ic) (Max): 30A, Current - Collector Pulsed (Icm): 45A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 32nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: Trench Field Stop, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40В°C ~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA, Power - Max: 133W, Reverse Recovery Time (trr): 55ns, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-262, Td (on/off) @ 25В°C: 18ns/64ns, Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V, Бренд: Rohm

RGT30NS65DGC9 – артикул товара бренда ROHM Semiconductor с розничной ценой 823 ₽ за штуку. Купите RGT30NS65DGC9 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ROHM Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить RGT30NS65DGC9 ROHM Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ROHM Semiconductor и уточнить персональную цену на RGT30NS65DGC9 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.