RGT16TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Описание
Максимальная Рабочая Температура: 175 C, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Коллектор-Эмиттер: 650В, Стиль Корпуса Транзистора: TO-220NFM, Рассеиваемая Мощность: 22Вт, DC Ток Коллектора: 9А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.65В, Pd - рассеивание мощности: 22 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: RGT16TM65D, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 9 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 50, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: ROHM Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 2, Бренд: Rohm
RGT16TM65DGC9 – артикул товара бренда ROHM Semiconductor с розничной ценой 682 ₽ за штуку. Купите RGT16TM65DGC9 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ROHM Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить RGT16TM65DGC9 ROHM Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ROHM Semiconductor и уточнить персональную цену на RGT16TM65DGC9 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.