BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor
Описание
Pd - рассеивание мощности: 1570 W, Вид монтажа: Screw, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 40 C, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Carbide Modules, Размер фабричной упаковки: 4, Технология: SiC, Тип продукта: IGBT Modules, Торговая марка: ROHM Semiconductor, Упаковка: Tray, MOSFET Configuration: Chopper, Напряжение Истока-стока Vds: 1.2кВ, Непрерывный Ток Стока: 600А, Полярность Транзистора: N Канал, Пороговое Напряжение Vgs: 5.6В, Рассеиваемая Мощность: 2.46кВт, Стиль Корпуса Транзистора: Module, Бренд: Rohm
BSM600C12P3G201 – артикул товара бренда ROHM Semiconductor с розничной ценой 342 722 ₽ за штуку. Купите BSM600C12P3G201 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ROHM Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ROHM Semiconductor и уточнить персональную цену на BSM600C12P3G201 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.