RJH65T47DPQ-A0#T0 Renesas

Pd - рассеивание мощности: 375 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: mm, Длина: mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.8 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 90 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 90 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 1, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 1 uA, Торговая марка: Renesas Electronics, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247A-3, Ширина: mm, Вес, г: 6, Бренд: Renesas Technology

RJH65T47DPQ-A0#T0 – артикул товара бренда Renesas с розничной ценой 1 952 ₽ за штуку. Купите RJH65T47DPQ-A0#T0 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Renesas для наших постоянных клиентов.

Купить RJH65T47DPQ-A0#T0 Renesas в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги Renesas и уточнить персональную цену на RJH65T47DPQ-A0#T0 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.