RFD12N06RLESM9A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 8А, 49Вт, DPAK,TO252AA ON Semiconductor

Maximum Operating Temperature: +175 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 6.73mm, Transistor Configuration: Одиночный, Brand: ON Semiconductor, Maximum Continuous Drain Current: 18 A, Package Type: DPAK (TO-252), Maximum Power Dissipation: 49 W, Series: UltraFET, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 6.22mm, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Height: 2.39мм, Maximum Drain Source Resistance: 75 m?, Maximum Drain Source Voltage: 60 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -16 V, +16 V, Вес, г: 1.5, Бренд: ON Semiconductor

RFD12N06RLESM9A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 494 ₽ за штуку. Купите RFD12N06RLESM9A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить RFD12N06RLESM9A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на RFD12N06RLESM9A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.