NGTG35N65FL2WG ON Semiconductor
Описание
Pd - рассеивание мощности: 300 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.2 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 70 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 35 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Бренд: ON Semiconductor
NGTG35N65FL2WG – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 1 917 ₽ за штуку. Купите NGTG35N65FL2WG по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить NGTG35N65FL2WG ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на NGTG35N65FL2WG вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.