NGTB10N60R2DT4G ON Semiconductor
Описание
Collector-Emitter Breakdown Voltage: 600V, Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.1V @ 15V,10A, Maximum DC Collector Current: 20A, Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage: 7V @ 160uA, Бренд: ON Semiconductor
NGTB10N60R2DT4G – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 588 ₽ за штуку. Купите NGTB10N60R2DT4G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить NGTB10N60R2DT4G ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на NGTB10N60R2DT4G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.