HGTG18N120BND ON Semiconductor
Описание
Maximum Operating Temperature: +150 °C, Length: 15.87mm, Transistor Configuration: Single, Brand: ON Semiconductor, Maximum Collector Emitter Voltage: 1200 V, Maximum Continuous Collector Current: 54 A, Package Type: TO-247, Maximum Power Dissipation: 390 W, Mounting Type: Through Hole, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 4.82mm, Height: 20.82mm, Pin Count: 3, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Maximum Gate Emitter Voltage: ±20V, Channel Type: N, Вес, г: 7.23, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
HGTG18N120BND – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 482 ₽ за штуку. Купите HGTG18N120BND по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить HGTG18N120BND ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на HGTG18N120BND вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.