HGTG10N120BND ON Semiconductor
Описание
Технология/семейство: npt, Наличие встроенного диода: да, Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200, Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35, Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80, Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7, Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298, Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23, Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165, Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150, Корпус: to-247, Структура: n-канал, Управляющее напряжение,В: 6.8, Вес, г: 7.5, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
HGTG10N120BND – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 682 ₽ за штуку. Купите HGTG10N120BND по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить HGTG10N120BND ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на HGTG10N120BND вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.