HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) ON Semiconductor
Описание
Максимальная рабочая температура: +150 °C, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: ON Semiconductor, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 80 A, Тип корпуса: D2PAK (TO-263), Максимальное рассеяние мощности: 298 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Ширина: 11.33мм, Высота: 4.83мм, Число контактов: 3, Размеры: 10.67 x 11.33 x 4.83мм, Скорость переключения: 1МГц, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Тип канала: N, Вес, г: 2, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 1 329 ₽ за штуку. Купите HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.