HGT1S10N120BNST ON Semiconductor
Описание
Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 1.2кВ, Стиль Корпуса Транзистора: TO-263AB, Рассеиваемая Мощность: 298Вт, DC Ток Коллектора: 35А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 2.45В, Вес, г: 1.312, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
HGT1S10N120BNST – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 1 329 ₽ за штуку. Купите HGT1S10N120BNST по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить HGT1S10N120BNST ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на HGT1S10N120BNST вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.