FQPF8N80C ON Semiconductor
Описание
Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 8 A, Тип корпуса: TO-220F, Максимальное рассеяние мощности: 59 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7, Высота: 9.19мм, Размеры: 10.16 x 4.7 x 9.19мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.16мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 40 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 65 нс, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 1.55 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 800 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 35 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1580 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вес, г: 2, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
FQPF8N80C – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 376 ₽ за штуку. Купите FQPF8N80C по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.
Купить FQPF8N80C ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.
Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FQPF8N80C вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.
Цены на товары под заказ, в связи с резкими скачками курса валют, могут отличаться, как в большую, так и в меньшую сторону. Пожалуйста, уточняйте актуальные цены у менеджеров.