FQPF3N80C ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 3 A, Тип корпуса: TO-220F, Максимальное рассеяние мощности: 39 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7, Высота: 9.19мм, Размеры: 10.16 x 4.7 x 9.19мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.16мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 15 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 22,5 нс, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 4.8 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 800 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 13 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 543 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вес, г: 2, Бренд: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION

FQPF3N80C – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 200 ₽ за штуку. Купите FQPF3N80C по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.

Купить FQPF3N80C ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.

Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FQPF3N80C вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.